05.06.2017 23:50

TSMC приступит к производству памяти eMRAM и eRRAM в 2018 и 2019 годах соответственно

TSMC приступит к производству памяти eMRAM и eRRAM в 2018 и 2019 годах соответственно

Как сообщает издание DigiTimes со ссылкой на Economic Daily News, компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) планирует в обозримом будущем приступить к производству энергонезависимой памяти нового поколения.


Источник пишет, что в 2018 году TSMC начнет рисковое производство модулей энергонезависимой памяти eMRAM (embedded Magnetoresistive Random Access Memory, встроенная магниторезистивная оперативная память), а годом позже приступит к выпуску eRRAM (embedded Resistive Random Access Memory, встроенная резистивная оперативная память) с использованием 22-нанометрового технологического процесса. В качестве источника данной новости называется технический директор TSMC Джэк Сан (Jack Sun).

TSMC приступит к производству памяти eMRAM и eRRAM в 2018 и 2019 годах соответственно

Высокоскоростные энергоэффективные модули памяти eMRAM и eRRAM планируют использовать в устройствах Интернета вещей, мобильных устройствах, а также в самоуправляемых автомобилях.

В данный момент лидером в данном сегменте является Samsung Electronics, которая уже занялась производством энергонезависимой памяти MRAM. Первым клиентом Samsung, которая заказала решение на базе новой технологии, стала компания NXP.

Теги:
TSMC

Комментировать

Интернет-магазин мобильных телефонов в Минске Все инструменты на победы в Азино777 Как расположить оборудование в серверной комнате Сервисный центр Apple Киев для ремонта вашей техники Освещение точечного типа в каталоге интернет-магазина splendid-ray.ua

Лента новостей