27.06.2017 22:56

Специалисты Sony разработали ключевые технологии для микросхем памяти ReRAM плотностью около 100 Гбит

Специалисты Sony разработали ключевые технологии для микросхем памяти ReRAM плотностью около 100 Гбит

Компания Sony Semiconductor Solutions рассказала о разработках, относящихся к памяти ReRAM, объединяющей достоинства DRAM и NAND. Разработанные специалистами Sony ключевые технологии, как утверждается, позволят выпускать микросхемы памяти ReRAM высокой плотности.

В памяти, созданной Sony Semiconductor Solutions, используются ионы меди. Конструкция ячейки включает всего один элемент для выборки и один резистивный элемент (структура 1S1R). Это дает возможность изготавливать память в виде простой матрицы пересекающихся линий и компоновать такие матрицы в несколько слоев, наращивая плотность.

Специалисты Sony разработали ключевые технологии для микросхем памяти ReRAM плотностью около 100 Гбит

Одна из новых разработок — барьер между резервуаром ионов и электролитом, уменьшающий неравномерность сопротивления. За счет него удается увеличить плотность хранения.

Специалисты Sony разработали ключевые технологии для микросхем памяти ReRAM плотностью около 100 Гбит

Вторая технология — легирование элемента выборки бором и углеродом, за счет чего уменьшается ток утечки и увеличивается ресурс.

По оценке Sony Semiconductor Solutions, разработанные технологии позволят выпускать память ReRAM с временем записи 100 нс, ресурсом 10 млн циклов и плотностью около 100 Гбит.

Ожидается, что ReRAM заполнит нишу между DRAM и NAND по стоимости, производительности и степени интеграции.

Источник: Nikkei BP

Теги:
Sony

Комментировать

Световые бокс кубы в Москве Выгодное обслуживание принтеров на дому и офисе Правильная покупка - хороший велосипед Где покупать айфоны? Сигнальные кабеля высокого качества

Лента новостей