Samsung представила техпроцессы с нормами 11 нм и 7 нм EUV

Компания Samsung Electronics выпустила пресс-релиз, в котором сообщила о завершении разработки двух техпроцессов: 11-нм техпроцесса 11LPP FinFET (Low Power Plus) и 7-нм техпроцесса 7LPP FinFET. Техпроцесс с нормами 11 нм будет использовать классические сканеры с длиной волны 193 нм, а техпроцесс с нормами 7 нм впервые в индустрии задействует сканеры с длиной волны 13,5 нм. Это излучение в крайнем (жёстком) ультрафиолетовом диапазоне, использовать которое можно только с системой зеркал. Стеклянная оптика поглощает EUV-излучение и не годится для сканеров нового поколения.

Первый коммерческий сканер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)

Подобные сканеры в этом году массово начала выпускать одна единственная компания — нидерландская ASML. Стоимость каждой установки не ниже $110 млн. Это примерно на треть дороже, чем стоимость 193-нм сканеров. В этом году ASML выпустит 14 EUV-сканеров, а в 2018 году уже 28 штук. Судя по всему, заметную часть установок в этом году приобрела компания Samsung. Начало производства 7-нм продукции Samsung обещает организовать в течение второй половины 2018 года.

Компания приобрела огромный опыт в использовании EUV-сканеров, что даёт ей возможность первой в индустрии начать массовый выпуск чипов с использованием проекции в крайнем ультрафиолетовом диапазоне. С 2014 года на опытном EUV-оборудовании она обработала порядка 200 000 полупроводниковых пластин. К настоящему моменту уровень выхода годной продукции с использованием EUV-сканеров приблизился к 80 %. Эти цифры справедливы для производства массивов SRAM объёмом 256 Мбит (массив SRAM — это принятый в индустрии шаблон для тестового производства). К началу массового выпуска 7-нм продукции уровень брака обещает снизиться ещё сильнее.

Также компания представила чуть более доступную альтернативу техпроцессу 10LPP FinFET. В Samsung отдают себе отчёт, что 10-нм SoC — это премиальный сегмент смартфонов. Для смартфонов средней ценовой категории в первой половине 2018 года компания начнёт использовать техпроцесс с нормами 11 нм (11LPP FinFET). По сравнению с техпроцессом 14LPP FinFET 11-нм техпроцесс обеспечит снижение площади кристаллов на 10 % (улучшение себестоимости, компактность) и увеличение производительности на 15 % без повышения потребления. Середнячки нарастят мускулы!

В следующие три года компания Samsung Electronics будет богата на реализованные на практике передовые техпроцессы. Она будет выпускать решения с нормами 11 нм, 10 нм, 8 нм и 7 нм. Каждый разработчик найдёт техпроцесс, который будет лучше всего соответствовать требованиям заказчиков как по деньгам, так и по характеристикам.