09.08.2017 16:33

Samsung представила микросхемы V-NAND плотностью 1 Тбит

Samsung представила микросхемы V-NAND плотностью 1 Тбит

В июне этого года компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска микросхем 64-слойной флэш-памяти V-NAND плотностью 256 Гбит, предназначенных для накопителей, используемых в серверах, ПК и мобильных устройствах.


На этой неделе Samsung Electronics анонсировала микросхемы V-NAND плотностью 1 Тбит, которые появятся в готовых продуктах в следующем году. Упаковывая 16 подобных микросхем в один корпус, производитель планирует выпускать модули флэш-памяти V-NAND объемом памяти 2 ТБ, совершив «одно из самых важных достижений в данной области за последнее десятилетие».


Samsung представила микросхемы V-NAND плотностью 1 Тбит

Впервые о флэш-памяти V-NAND подобной плотности Samsung говорила еще в 2013 году, а теперь компания практически реализовала свой план. Новая флэш-память должна удовлетворить постоянно растущий рыночный спрос на фоне появления новых решений в сегменте Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта. По мнению представителей Samsung, быстрая флэш-память играет критически важную роль для получения информации и анализа данных в реальном времени.

Теги:
Samsung

Комментировать

Отзывы о реплике Samsung Galaxy S9 Программное обеспечения для создания MES Сервисный центр Apple Киев для ремонта вашей техники Веб-студия «WebCase» - разработчик сайта для проекта «Квартал ТВ» Почему стоит купить сим-карту «Мегафона»

Лента новостей