Samsung начинает исследования в области полупроводниковых систем

Компания Samsung Electronics объявила о развитии лаборатории Искусственного интеллекта в институте Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) в Монреале, Канада.

Лаборатория будет способствовать укреплению позиций компании в области исследований ИИ и повышению конкурентоспособности в производстве полупроводниковых систем.
Лаборатория ИИ расположена в институте алгоритмов машинного обучения Mila (Montreal Institute for Learning Algorithms) в Монреале, Канада. Mila – один из лучших исследовательских центров мира в области глубокого обучения, основанная проф. Йошуа Бенжио (Yoshua Bengio), одним из величайших мировых экспертов в области глубокого обучения, машинного обучения и искусственного интеллекта, партнерами которого являются Университет Монреаля и Университет МакГилл. В лаборатории доступно открытое рабочее пространство для совместной работы с сообществом исследователей в области ИИ в Mila.
Лаборатория ИИ в Монреале сконцентрируется на исследованиях в области обучения без учителя (unsupervised learning) и генеративных сетей (GAN) для разработки революционных технологий, в том числе новых алгоритмов глубокого обучения и встроенного ИИ нового поколения.
К работе в лаборатории ИИ была привлечена команда ведущих специалистов в области глубокого обучения, включая Саймона Лакост-Жюльена (Simon Lacoste-Julien), профессора университета Монреаля, который недавно присоединился к руководству лаборатории. Кроме того, Samsung со временем планирует направить сотрудников отдела исследований и разработок подразделения Device Solutions Business в Монреаль, а также использовать лаборатории ИИ в качестве базы для обучения специалистов и сотрудничества с другими передовыми исследовательскими институтами в этой области.
При этом лаборатория в Монреале продолжает выстраивать устойчивые отношения с Йошуа Бенжио. SAIT и проф. Бенжио сотрудничают в области исследований алгоритмов глубокого обучения с 2014 года, ими были опубликованы три статьи на эту тему в научных журналах.

Источник