Nanya рассчитывает самостоятельно разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM

Компания Nanya Technology договорилась лицензировать у Micron Technology технологии производства DRAM 10-нанометрового класса (1X и 1Y). Используя их в качестве отправной точки, тайваньский производитель рассчитывает самостоятельно разработать 10-нанометровую технологию производства DRAM.

Nanya приглашает к совместной работе других производителей, отмечая, что участие китайских компаний маловероятно. Три из них уже разрабатывают собственные технологии полупроводникового производства DRAM и NAND. Компания Yangtze River Storage Technology (YMTC) рассчитывает под крылом Tsinghua Unigroup начать серийный выпуск 64-слойной памяти NAND в 2019 году. Компании Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Hefei Rui-Li Integrated Circuit сосредоточились на разработке технологии выпуска DRAM.

Ключевые патенты, связанные с технологиями выпуска NAND и DRAM принадлежат нынешним лидерам рынка: Samsung, SK Hynix, Toshiba, Micron и Intel.

Комментировать