На этапе технологических норм 4 нм компания Samsung планирует использовать архитектуру транзисторов MBCFET

Компания Samsung на ежегодном мероприятии Samsung Foundry Forum рассказала о планах освоения новых норм техпроцесса. Планы Samsung включают освоение технологических норм 8, 7, 6, 5 и 4 нм. Кроме того, планируется освоение норм 18 нм в технологии FD-SOI.

Говоря более конкретно, планы южнокорейского производителя включают освоение следующих техпроцессов:

• 8LPP (8 нм Low Power Plus): это последний этап перед переходом к литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Будучи развитием 10-нанометрового техпроцесса 10LPP, он обеспечит повышение плотности компоновки и производительности.
• 7LPP (7 нм Low Power Plus): это первый техпроцесс EUV. Источник излучения EUV мощностью 250 Вт, необходимый для серийного производства, создан совместно специалистами Samsung и ASML.
• 6LPP (6 нм Low Power Plus): обеспечит дальнейшее повышение плотности и снижение энергопотребления за счет применения фирменной технологии масштабирования Samsung Smart Scaling.
• 5LPP (5 нм Low Power Plus): последний этап, на котором будут использоваться транзисторы FinFET.
• 4LPP (4 нм Low Power Plus): на этом этапе Samsung планирует перейти к новой архитектуре транзисторов, которая получила название MBCFET (Multi Bridge Channel FET). Особенностью реализации MBCFET является фирменная технология Samsung GAAFET (Gate All Around FET), в которой используются наноматериалы.
• FD-SOI (Fully Depleted – Silicon on Insulator): техпроцесс 18FDS придет на смену нынешнему 28FDS. Он позволит интегрировать в один кристалл логические и радиочастотные цепи, и память eMRAM (embedded Magnetic Random Access Memory).

Сроки реализации плана источник не называет.

Источник: Samsung Electronics

Теги:
Samsung

Комментировать